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EPA防静【电技术要求

* 穿戴状态下电阻要求：7.5×10^5 ~ 1×10^7Ω

* SJ/T10694-2006标准规定

EPA防※静电技术要求

* 系统电阻：1×10^5 ~ 1×10^9Ω

* SJ/T10694-2006标准规定

EPA防静电技♀术要求

* 点对〖点电阻要求：1×10^5 ~ 1×10^10Ω

* SJ/T10694-2006标准规定

EPA防静电技术要㊣求

* 衰减时间要求：< 2秒

* 导静电型表面电阻☆率：< 1.0x10^5Ω/?

* 静电耗散型表面电阻率： 1.0x10^5~1.0x10^11Ω/?

* GJB 3007A-2009标准规定
* SJ/T10694-2006标准规定

EPA防静电技术＠要求

* 衰减时间要求：< 2秒

* 参考IEC 61340-2-1规范

EPA防静电技术要求

* 点对←点电阻要求：1×10^5 ~ 1×10^10Ω

* 系统电阻要◎求：1×10^5 ~ 1×10^9Ω

* 磨擦电压：<100V

* SJ/T10694-2006标准规定

EPA防静电技术要求

* 点对点电阻▼要求：1×10^5 ~ 1×10^10Ω

* 系统电阻要求：1×10^5 ~ 1×10^9Ω

* 磨擦电压：<100V

* SJ/T10694-2006标准规定

EPA防静电技术要求

* 衰减时间要求：< 2秒

* 参考IEC 61340-2-1规范

EPA防静电技术要求

* 离子平衡：-35V< offset <+35V

* ANSI/ESD S20.20标准规定

* ANSI/ESD STM3.1标准规定

EPA防静电技术要求

* 离子平衡：-35V< offset <+35V

*ANSI/ESD S20.20标准规定

*ANSI/ESD STM3.1标准规定

EPA防静电技术要求

* 点对点电阻要求：1×10^5 ~ 1×10^9Ω

* 系统电阻要求：1×10^5 ~ 1×10^9Ω

* 磨擦电压：<100V

* SJ/T10694-2006标准规定